студент с 01.01.2023 по 01.01.2025
АО НИИ ""Полюс" им. М.Ф. Стельмаха"
Москва, г. Москва и Московская область, Россия
РУДН им. Патриса Лумумбы
Россия
Россия
Определено теоретическое значение плотности мощности лазерного излучения, превышение над которым приводит к разрушению поверхности чувствительной площадки In0,53Ga0,47As p-i-n фотодиода с обратной засветкой.
InGaAs p-i-n фотодиод, лазерный нагрев, обратная засветка
1. Короннов, А.А. Исследование характеристик германиевого лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию / А. А. Короннов, Г. М. Зверев, М. М. Землянов, Е. В. Жарикова, Д. В. Марсагишвили // Прикладная физика. – 2015. – № 4. – С. 54–58. EDN: https://elibrary.ru/SGYLVA
2. Короннов, А.А. Повышение стойкости фотоприемных устройств на базе германиевого лавинного фотодиода к воздействию мощного лазерного излучения / А. А. Короннов, А. Е. Сафутин, М. М. Землянов, Г. М. Зверев // Прикладная физика. – 2015. – № 6. – С. 65–69. EDN: https://elibrary.ru/VBUZTN
3. Короннов, А.А. Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии / А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин // Квантовая электроника. – 2022. – № 52. – С. 1–5. EDN: https://elibrary.ru/HJBISE
4. Лыков А. В. Теория теплопроводности. — М.: Высшая школа, 1967.
5. Головань Л. А., Кашкаров П. К., Лакеенков В. М. и др. // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31. № 8. С. 931. DOI: https://doi.org/10.1134/1.1187252; EDN: https://elibrary.ru/RYMNWV
6. Пасслер Р., Формула недебаевской тепловой мощности доработана и применена к GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb / R. Passler // AIP ADVANCES. - 2013. - 3. - 1-34. DOI: https://doi.org/10.1063/1.4818273
7. Хорунжий, И.А. Тепловые процессы в мощном высокоскоростном InGaAs/InP p–i–n-фотодиоде с балочными выводами / И. А. Хорунжий, Д. С. Доманевский, С. А. Малышев, А. Л. Чиж // Труды БГТУ. – 2013. – №6. – С. 72–75.
8. Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе – справочная информация [Электронный ресурс] : база данных содержит сведения о физико-химических свойствах InGaAs – Электрон. дан. – СПб. – Режим доступа: https://ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/thermal.html - (Дата обращения 15.03.2025).
9. Башер Ф.Р. Коэффициент оптического поглощения In1-xGxAs/Inp / F. R. Bacher, J. S. Blakemore, J. T. Ebner, J. R. Arthur // PHYSICAL REVIEW B. - 1988. 5. - с. 2551-2557. DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.37.2551
10. Чэнь Л., Экспериментальное исследование миллисекундного импульса лазерного нагрева искривленных Si лавинных фотодиодов в внешней цепи / L. Chen, Liu H., Jin G. // Russ Laser. - 2020. - 41. - стр. 384-389. DOI: https://doi.org/10.1007/s10946-020-09890-w
