Physics in Higher Education Physics in Higher Education Физическое образование в вузах 1609-3143 1607-2340 99192 10.54965/1609-3143-2025-31-4-74-86 tfjfkz Образование Education Образование DETERMINATION OF THE THRESHOLD DENSITY OF LASER RADIATION POWER FOR INGAAS-PHOTODIODES ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПОРОГОВОЙ ПЛОТНОСТИ МОЩНОСТИ ВОЗДЕЙСТВИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ДЛЯ INGAAS-ФОТОДИОДОВ Белик Кирилл Денисович Belik Kirill Denisovich death_stroke16@mail.ru Короннов Алексей Алексеевич Koronnov Alexey Alexeevich koronnov_aa@pfur.ru Типтюх Алексей Максимович Tiptyukh Aleksey Maksimovich Российский университет дружбы народов Peoples’ Friendship University of Russia АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» Россия POLYUS Research Institute of M.F. Stelmakh Joint Stock Company Russian Federation ООО «Яндекс беспилотные технологии» Россия ООО «Яндекс беспилотные технологии» Russian Federation АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» Россия POLYUS Research Institute of M.F. Stelmakh Joint Stock Company Russian Federation 31 12 2025 31 12 2025 31 4 74 86 26 05 2025 https://pinhe.moomfo.ru/en/nauka/article/99192/view

Определено теоретическое значение плотности мощности лазерного излучения, превышение над которым приводит к разрушению поверхности чувствительной площадки In0,53Ga0,47As p-i-n фотодиода с обратной засветкой.

The theoretical value of laser radiation power density, above which excess leads to the destruction of the surface of the sensitive site of the inverse In0,53Ga0,47As p-i-n photodiode, is determined.

 InGaAs p-i-n фотодиод лазерный нагрев обратная засветка InGaAs p-i-n photodiode laser heating backlighting РУДН им. Патриса Лумумбы RUDN

Короннов, А.А. Исследование характеристик германиевого лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию / А. А. Короннов, Г. М. Зверев, М. М. Землянов, Е. В. Жарикова, Д. В. Марсагишвили // Прикладная физика. – 2015. – № 4. – С. 54–58. Koronnov, A.A. Study of the characteristics of a German avalanche photodiode subjected to powerful laser/ A. A. Coronnov, G. M. Zverev, M. M. Zemlyanov, E. V. Zarikova, D. V. Marsagishvili // Applied physics. - 2015. - 4. - p. 54-58. Короннов, А.А. Повышение стойкости фотоприемных устройств на базе германиевого лавинного фотодиода к воздействию мощного лазерного излучения / А. А. Короннов, А. Е. Сафутин, М. М. Землянов, Г. М. Зверев // Прикладная физика. – 2015. – № 6. – С. 65–69. Koronnov, A.A. Improvement of photometric devices on the basis of a Germanic avalanche photodiode under the influence of powerful laser radiation/ A. A. Koronnov, A. E. Safutin, M. M. M. Zemlenov, G. M. Zverev // Applied physics. - 2015. - 6. - p. 65-69. Короннов, А.А. Pin-фотодиод на основе InGaAs/InP для фотоприемных устройств систем импульсной лазерной дальнометрии / А. А. Короннов, Н. Ф. Салова, М. М. Землянов, А. В. Гринин, А. Е. Сафутин, Е. В. Кузнецов, М. А. Ладугин, М. Ю. Кузнецов, Н. Н. Брагин, А. В. Мамин // Квантовая электроника. – 2022. – № 52. – С. 1–5. Koronnov, A.A. Pin-fotodiod na osnove InGaAs/InP dlya fotopriemnyh ustroystv sistem impul'snoy lazernoy dal'nometrii / A. A. Koronnov, N. F. Salova, M. M. Zemlyanov, A. V. Grinin, A. E. Safutin, E. V. Kuznecov, M. A. Ladugin, M. Yu. Kuznecov, N. N. Bragin, A. V. Mamin // Kvantovaya elektronika. – 2022. – № 52. – S. 1–5. Лыков А. В. Теория теплопроводности. — М.: Высшая школа, 1967. Lykov A. V. Teoriya teploprovodnosti. — M.: Vysshaya shkola, 1967. Головань Л. А., Кашкаров П. К., Лакеенков В. М. и др. // Физика и техника полупроводников. 1997. Т. 31. № 8. С. 931. Golovan' L. A., Kashkarov P. K., Lakeenkov V. M. i dr. // Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1997. T. 31. № 8. S. 931. Пасслер Р., Формула недебаевской тепловой мощности доработана и применена к GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs и InSb / R. Passler // AIP ADVANCES. - 2013. - 3. - 1-34. Passler, R. Non-Debye heat capacity formula refined and applied to GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb / R. Passler // AIP ADVANCES. – 2013. – № 3. – S. 1–34. Хорунжий, И.А. Тепловые процессы в мощном высокоскоростном InGaAs/InP p–i–n-фотодиоде с балочными выводами / И. А. Хорунжий, Д. С. Доманевский, С. А. Малышев, А. Л. Чиж // Труды БГТУ. – 2013. – №6. – С. 72–75. Horunzhiy, I.A. Teplovye processy v moschnom vysokoskorostnom InGaAs/InP p–i–n-fotodiode s balochnymi vyvodami / I. A. Horunzhiy, D. S. Domanevskiy, S. A. Malyshev, A. L. Chizh // Trudy BGTU. – 2013. – №6. – S. 72–75. Физико-технический институт имени А.Ф.Иоффе – справочная информация [Электронный ресурс] : база данных содержит сведения о физико-химических свойствах InGaAs – Электрон. дан. – СПб. – Режим доступа: https://ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/thermal.html - (Дата обращения 15.03.2025). Fiziko-tehnicheskiy institut imeni A.F.Ioffe – spravochnaya informaciya [Elektronnyy resurs] : baza dannyh soderzhit svedeniya o fiziko-himicheskih svoystvah InGaAs – Elektron. dan. – SPb. – Rezhim dostupa: https://ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInAs/thermal.html - (Data obrascheniya 15.03.2025). Башер Ф.Р. Коэффициент оптического поглощения In1-xGxAs/Inp / F. R. Bacher, J. S. Blakemore, J. T. Ebner, J. R. Arthur // PHYSICAL REVIEW B. - 1988. 5. - с. 2551-2557. Bacher, F.R. Optical-absorption coefficient of In1-xGxAs/Inp / F. R. Bacher, J. S. Blakemore, J. T. Ebner, J. R. Arthur // PHYSICAL REVIEW B. – 1988. – №5. – p. 2551–2557. Чэнь Л., Экспериментальное исследование миллисекундного импульса лазерного нагрева искривленных Si лавинных фотодиодов в внешней цепи / L. Chen, Liu H., Jin G. // Russ Laser. - 2020. - 41. - стр. 384-389. Chen L., Experimental Investigation of Millisecond-Pulse Laser Heating of Biased Si Avalanche Photodiodes in an External Circuit / L. Chen, Liu H., Jin G. // Russ Laser. – 2020. – №41. – p. 384–389.